数字EDD修复仪LLC辅助电源设计

数字式电火花堆(EDD)修复仪辅助电源需满足为焊枪电机供电、保证数字芯片工作及实现多路输出和电气隔离。传统辅助电源设计方式存在转换效率低、功率密度小、易受干扰、功率等级低等缺点。采用定频LLC谐振变换器加同步Buck两级拓扑的新式辅助电源设计方案,利用高频LLC谐振变换器的软开关能力,可缩小电源体积、提高转换效率,且能实现多路输出间电气隔离,避免相互干扰。通过与传统的辅助电源作比较,突出了所提新式辅助电源的优点,并详细分析了新式辅助电源的工作原理和控制方式,最后通过一台实验样机验证了新式辅助电源的可行性。     

基于GSM模块的光线检测系统设计

开关量信号采样是工业过程领域中一种常见的数据采集技术。本系统由单片机控制系统、显示模块、发送模块和光线检测模块等组成,采用AT89S51单片机作为系统的控制器,实现对开关量信号的采集和处理,并通过TC35 GSM模块发送处理后的信息。系统工作正常,运行稳定。     

一种星载IP交换机队列管理器的设计

针对星载IP交换机中硬件存储资源使用受限的情况,提出了一种适用于共享存储交换结构、存储资源占用少的队列管理器。通过添加索引的方法,使得所有的单播队列能够共享一个指针存储区。根据位图映射,将组播指针转化为多个单播指针,即可把组播操作的数据流按照单播操作方式写到相应的逻辑队列路径,达到节约存储器资源的目的。该队列管理器通过链表数据结构的头部和尾部来控制指针索引的写入和输出。最后,在Xilinx的xc6vlx130t FPGA进行了综合实现,结果显示,该方案相比基于指针复制的队列管理器,在8端口的交换机中存储器资源的使用量要节约22%以上。     

基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法

介绍了全固态调制器采用IGBT 管等固态器件进行串并联组合应用的典型工作模式,分析了固态调制器传统开关组件的检测和保护技术,提出基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,阐述了设计思想及工作原理,给出了工程实现方案和检测方法原理框图,并分析比较了传统的在线检测方法和基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,基于PLC 编程软件平台,根据采样电压的数值及其变化量,实现精确判定IGBT 管损坏数量和百分比的计算。工程应用验证了检测结果的准确可靠。     

有机聚合物1×32波导热光开关阵列

研制出紧凑型树状分支结构马赫-曾德尔干涉(MZ I)型有机聚合物1×2热光开关以及1×32集成波导热 光开关阵列。利用旋转涂覆法、紫外固化工艺、接触曝光、反应离子刻蚀(RIE)、真空镀膜 、切割和抛光等传统 微加工工艺,成功完成了器件制备。通过优化刻蚀工艺,有效减小了刻蚀后波导的表面与侧 壁粗糙度。通过在 波导和金属掩膜层之间添加聚合物隔离层,进一步减小了波导的传输损耗。实验结果显示, 制备的1×2热 光开关插损仅为2.84dB,串扰为－31.13dB ,光开关的电功耗为4.1mW;制备的1×32波 导热光开关阵列插 损为11.8dB, 串扰为－25.3dB,电功耗小于5mW, 器件开关时间 为1.15ms。测试结果与数值模拟结果 吻合很好,研制的光开关有望应用于光交换器(OXC)、 光分插复用器(OADM)以及光 控相控阵天线的波束扫描控制系统中。     

一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试

设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC～3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB.     

准谐振正激变换器零电压开关设计

准谐振有源箝位正激变换器的有源箝位电路与常规的有源箝位正激变换器的结构类似,但实际工作过程存在许多差异。通过分析准谐振有源箝位正激变换器的工作过程,研究了准谐振有源箝位正激变换器的开关管零电压导通的边界条件,并进行了仿真和实验验证。     

一种新型有源调压变换器的实现

针对目前普通的电压调整模块的变换器存在输入、输出电压变化量大、变换效率低、占空大等问题,提出了一种带有源浮充平台新型电压调整模块,该模块具有稳定的调压率,同时模块能在不采取均流的情况下自动调节平衡各相感应电流提高其效率,精简了控制电路。对新模块进行了稳、动态试验验证,验证结果证明了新模块理论的正确性。     

应用于大功率MMIC开关的AlGaN背势垒GaN HEMT

报道了应用于大功率开关的AlGaN背势垒0.25μm GaN HEMT。通过引入AlGaN背势垒,MOCVD淀积在3英寸SiC衬底上的AlGaN/GaN异质结材料缓冲层的击穿电压获得了大幅度的提升,相比于普通GaN缓冲层和掺Fe GaN缓冲层击穿电压提升幅度分别为4倍和2倍。采用具有AlGaN背势垒AlGaN/GaN 外延材料研制的GaN HEMT开关管在源漏间距为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm和4μm时,估算得到的关态功率承受能力分别为25.0W、46.2W、64.0W、79.2W和88.4W。基于源漏间距为2.5μm的GaN HEMT开关管设计了DC-12GHz的单刀双掷MMIC开关。该开关采用了反射式串-并-并结构,整个带内插入损耗最大1.0dB、隔离度最小30dB,10GHz下连续波测试得到其功率承受能力达44.1dBm。     

高端路由器主备同步技术的研究

高端路由器设备通常采用主备倒换来延长系统的可靠运行时间,而主备数据同步是实现主备倒换的关键技术。针对传统主备同步技术可靠性低,同步速率低的问题,提出了一种新的主备数据同步解决方案。新的主备同步方案使用了可靠的主备数据同步通道;提出给同步数据分类,并采用合适的方法同步。经实验验证,该技术方案应用在高端路由器上,提高了主备同步速率与可靠性,从而提高了系统性能,同时模块化的设计,具有很好的通用性,实现简单,实用性高。